en

Арсенид галлия (GaAs)

GaAs — полупроводниковый материал с хорошими оптическими свойствами в инфракрасном диапазоне. Обладает высокой прочностью и термостойкостью.

Основные свойства:

Прозрачность 0,9–17 мкм
Показатель преломления около 3,3 (на длине волны 10 мкм)
Твердость высокая
Стабильность при высоких температурах  ✓
Диапазон прозрачности 0,9–17 мкм

Применение: 

  • ИК-оптика
  • Лазерные диоды
  • Полупроводниковые устройства

Оптические свойства:

Диапазон пропускания 1 - 11 мкм
Потери на отражение 45% (l = 12 мкм, 2 поверхности)
Коэффициент поглощения <0,02 см-1, l = 10,6 мкм

Химические свойства:

Химическая формула GaAs
Растворимость в воде не растворим
Молекулярный вес 144,63

Физические свойства:

Плотность 5,32 г/см3
Температура плавления 1511 K
Коэффициент термического расширения 5,7 x 10-6/К при 300 К
Коэффициент теплопроводности 55 Вт/(м K) при 300 К
Твердость по Кнупу 731 кг/мм2
Температура Дебая 360 К
Удельная теплоемкость 0,076 кал/(г K) при 273 К
Диэлектрическая постоянная 12,85 при 300 К
Ширина запрещенной зоны 1,4 эВ
Модуль Юнга, E 82,68 ГПа
Модуль сдвига, G 67 ГПа
Модуль объемной деформации, K 75,5 ГПа
Коэффициент Пуассона 0,31

News

23.12.2020

Welcome you to visit our booth at the 8th specialized exhibition of laser, optical and optoelectronic technology Photonics. WORLD LASERS AND OPTICS.

23.12.2020

Welcome you to visit our stand at 10m Jubilee International Forum "OPTICAL SYSTEMS AND TECHNOLOGY" - OPTICS-EXPO 2014, November 17-21 2014, Moscow, VDNH