ru

Арсенид галлия (GaAs)

GaAs — полупроводниковый материал с хорошими оптическими свойствами в инфракрасном диапазоне. Обладает высокой прочностью и термостойкостью.

Основные свойства:

Прозрачность 0,9–17 мкм
Показатель преломления около 3,3 (на длине волны 10 мкм)
Твердость высокая
Стабильность при высоких температурах  ✓
Диапазон прозрачности 0,9–17 мкм

Применение: 

  • ИК-оптика
  • Лазерные диоды
  • Полупроводниковые устройства

Оптические свойства:

Диапазон пропускания 1 - 11 мкм
Потери на отражение 45% (l = 12 мкм, 2 поверхности)
Коэффициент поглощения <0,02 см-1, l = 10,6 мкм

Химические свойства:

Химическая формула GaAs
Растворимость в воде не растворим
Молекулярный вес 144,63

Физические свойства:

Плотность 5,32 г/см3
Температура плавления 1511 K
Коэффициент термического расширения 5,7 x 10-6/К при 300 К
Коэффициент теплопроводности 55 Вт/(м K) при 300 К
Твердость по Кнупу 731 кг/мм2
Температура Дебая 360 К
Удельная теплоемкость 0,076 кал/(г K) при 273 К
Диэлектрическая постоянная 12,85 при 300 К
Ширина запрещенной зоны 1,4 эВ
Модуль Юнга, E 82,68 ГПа
Модуль сдвига, G 67 ГПа
Модуль объемной деформации, K 75,5 ГПа
Коэффициент Пуассона 0,31

Новости

23.12.2020

Приглашаем посетить наш стенд на 20й международной выставке ТехИнноПром ИМТЕХ 2017, 23-26 мая 2017, Беларусь, Минск

23.12.2020

Проект по разработке технологии выращивания крупногабаритных профилированных кристаллов сапфира Степанова/EFG успешно завершен.

23.12.2020

ЗАО "Ростокс-Н" планирует принять участие в международной выставке OPTATEC 2018, 15-17 мая 2018, Германия, Франкфурт на Майне

Портфолио