9, Academician Semenov Ave., Chernogolovka, Moscov region, 142432, Russia

«НИКА-Профиль» для выращивания профилированных монокристаллов сапфира

«НИКА-Профиль» для выращивания профилированных монокристаллов сапфира

Для предприятий, специализирующихся на производстве профилированных монокристаллов по методу Степанова, необходимо специализированное оборудование. Установка «Ника-Профиль» создана для группового выращивания кристаллов. Управление процессом роста осуществляется совместной работой предиктора корректора и релейного регулятора. Параметры настраиваются автоматически по мере роста материала.

Для предприятий, специализирующихся на производстве профилированных монокристаллов по методу Степанова, необходимо специализированное оборудование. Установка «Ника-Профиль» создана для группового выращивания кристаллов.  Управление процессом роста  осуществляется совместной работой предиктора корректора и релейного регулятора. Параметры настраиваются автоматически по мере роста материала.

Технические характеристики оборудования для производства монокристаллов

Установка адаптирована под групповое выращивание искусственного сапфира. Ее использование дает возможность работать сразу с 24 сапфировыми пластинами, которые в дальнейшем используют для создания защитных ударостойких покрытий. Процесс затравливания кристаллов выполняется в автоматическом режиме. Для вакуумного уплотнения штоков применены тарельчатые сильфоны. Это минимизирует риск вакуумных течей в процессе работы.

Производство искусственных сапфиров в России

Компания «Ростокс-Н» занимается производством искусственного сапфира в промышленных масштабах. У нас можно заказать готовую продукцию, изделия по индивидуальным чертежам, а также оборудование для оснащения предприятий. Обсудите условия и цены с нашим менеджером по телефону +7 (496) 527-35-91,  +7 (496) 527 35 95+7 (496) 527 35 96 и электронной почте   info@rostox-n.ru.

Температура нагрева
до 2200О С
Тип нагрева
индукционный
Диаметр тигля
до 250 мм
Габариты раб. камеры (внутр), диаметр/высота
750/1300 мм
Масса кристалла
до 16,0 кг
Чувствительность датчика веса
0.05 г
Рабочий ход верхнего штока
850 мм или 1050 мм
Скорость перемещения верхнего штока
от 0,01 до 100.0 мм/мин
Рабочий ход нижнего штока
200 мм
Скорость перемещения нижнего штока
от 0,01 до 100.0 мм/мин
Тип преобразователя
транзисторный (IGBT)
Выходная мощность преобразователя
от 0,1 до 100 кВт
Шаг изменения мощности
0,0015 кВт
Частота
5-20 кГц
Допустимое отклонение выходной мощности
± 0,05%
Давление инертного газа в камере
не более 1,5x105 Па
Предельный форвакуум
не более 2.6 Па
Давление охлаждающей воды
от 2000 кПа до 250 кПа
Расход охлаждающей воды, не более
6 м3/час
Модуль ростовой, без монитора, Д х Ш х В
1100х1200х4050 мм
Транзисторный генератор, Д х Ш х В
600х600х2200 мм