«НИКА-SiC»: выращивание карбида кремния
Карбид кремний – востребованный широкозонный полупроводниковый материал в различных сферах промышленности. Его используют для создания деталей быстродействующей, устойчивой к радиационному излучению, силовой электроники. Объемные монокристаллы диаметром до 46 дюймов и высотой до 50мм можно выращивать на автоматизированной установке «НИКА-SiC». Принцип работы основан на усовершенствованном сублимационном методе Лели.
Особенности оборудования для выращивания кристаллов кремния
Установка НИКА-SiC оснащена системой автоматического управления процессом выращивания. Сбор технологических данных осуществляет программный модуль, благодаря которому, риск получения бракованной продукции минимизирован.
Технические характеристики НИКА-SiC:
- тип нагрева – индукционный;
- температура сублимации max – до 2600 C;
- частота генератора – 5-20 кГц;
- максимальный диаметр кристалла – до 6 дюймов.
Узнайте больше об функциях устройства и его эксплуатации у производителя.
Производство монокристаллов кремния в Московской области
Компания «Ростокс-Н» предлагает заказать в Черноголовке искусственный сапфир и изделия из других материалов, а также оборудование для выращивания кристаллов. Уточнить подробности оформления заказа можно по телефону +7 (496) 527-35-91, +7 (496) 527 35 95, +7 (496) 527 35 96 и электронной почте info@rostox-n.ru.
