«НИКА-SiC»: выращивание карбида кремния

Карбид кремний – востребованный широкозонный полупроводниковый материал в различных сферах промышленности. Его используют для создания деталей быстродействующей, устойчивой к радиационному излучению, силовой электроники. Объемные монокристаллы диаметром до 46 дюймов и высотой до 50мм можно выращивать на автоматизированной установке «НИКА-SiC». Принцип работы основан на усовершенствованном сублимационном методе Лели.

Особенности оборудования для выращивания кристаллов кремния

Установка НИКА-SiC оснащена системой автоматического управления процессом выращивания. Сбор технологических данных осуществляет программный модуль, благодаря которому, риск получения бракованной продукции минимизирован.

Технические характеристики НИКА-SiC:

• тип нагрева – индукционный;
• температура сублимации max – до 2600 C;
• частота генератора – 5-20 кГц;
• максимальный диаметр кристалла – до 6 дюймов.

Узнайте больше об функциях устройства и его эксплуатации у производителя.

Производство монокристаллов кремния в Московской области

Компания «Ростокс-Н» предлагает заказать в Черноголовке искусственный сапфир и изделия из других материалов, а также оборудование для выращивания кристаллов. Уточнить подробности оформления заказа можно по телефону +7 (496) 527-35-91, +7 (496) 527 35 95, +7 (496) 527 35 96 и электронной почте info@rostox-n.ru.