ru

«НИКА-Профиль» для выращивания профилированных монокристаллов сапфира

Для предприятий, специализирующихся на производстве профилированных монокристаллов по методу Степанова, необходимо специализированное оборудование. Установка «Ника-Профиль» создана для группового выращивания кристаллов. Управление процессом роста осуществляется совместной работой предиктора корректора и релейного регулятора. Параметры настраиваются автоматически по мере роста материала.

Для предприятий, специализирующихся на производстве профилированных монокристаллов по методу Степанова, необходимо специализированное оборудование. Установка «Ника-Профиль» создана для группового выращивания кристаллов.  Управление процессом роста  осуществляется совместной работой предиктора корректора и релейного регулятора. Параметры настраиваются автоматически по мере роста материала.

Технические характеристики оборудования для производства монокристаллов

Установка адаптирована под групповое выращивание искусственного сапфира. Ее использование дает возможность работать сразу с 24 сапфировыми пластинами, которые в дальнейшем используют для создания защитных ударостойких покрытий. Процесс затравливания кристаллов выполняется в автоматическом режиме. Для вакуумного уплотнения штоков применены тарельчатые сильфоны. Это минимизирует риск вакуумных течей в процессе работы.

Производство искусственных сапфиров в России

Компания «Ростокс-Н» занимается производством искусственного сапфира в промышленных масштабах. У нас можно заказать готовую продукцию, изделия по индивидуальным чертежам, а также оборудование для оснащения предприятий. Обсудите условия и цены с нашим менеджером по телефону +7 (496) 527-35-91 +7 (496) 527 35 95+7 (496) 527 35 96 и электронной почте   info@rostox-n.ru.

Температура нагрева
до 2200О С
Тип нагрева
индукционный
Диаметр тигля
до 250 мм
Габариты раб. камеры (внутр), диаметр/высота
750/1300 мм
Масса кристалла
до 16,0 кг
Чувствительность датчика веса
0.05 г
Рабочий ход верхнего штока
850 мм или 1050 мм
Скорость перемещения верхнего штока
от 0,01 до 100.0 мм/мин
Рабочий ход нижнего штока
200 мм
Скорость перемещения нижнего штока
от 0,01 до 100.0 мм/мин
Тип преобразователя
транзисторный (IGBT)
Выходная мощность преобразователя
от 0,1 до 100 кВт
Шаг изменения мощности
0,0015 кВт
Частота
5-20 кГц
Допустимое отклонение выходной мощности
± 0,05%
Давление инертного газа в камере
не более 1,5x105 Па
Предельный форвакуум
не более 2.6 Па
Давление охлаждающей воды
от 2000 кПа до 250 кПа
Расход охлаждающей воды, не более
6 м3/час
Модуль ростовой, без монитора, Д х Ш х В
1100х1200х4050 мм
Транзисторный генератор, Д х Ш х В
600х600х2200 мм

Новости

23.12.2020

Начато серийное производство больших сапфировых лент.

23.12.2020

Завершен проект по разработке автоматизированного оборудования для выращивания профилированных кристаллов тугоплавких оксидов.

23.12.2020

Проект по разработке технологии выращивания крупногабаритных профилированных кристаллов сапфира Степанова/EFG успешно завершен.

Портфолио