ru

НИКА-3 для выращивания кристаллов по методу Чохральского

НИКА-3 разработана с учетом опыта эксплуатации оборудования предыдущего поколения, рекомендаций наших заказчиков, естественного прогресса технических характеристик комплектующих устройств и программного обеспечения.

Метод Чохральского: оборудование НИКА-3 для выращивания кристаллов

Метод выращивания кристаллов Чохральского широко применяется в полупроводниковой промышленности и оптоэлектронике для получения высокочистых монокристаллов. Этот процесс основан на вытягивании кристалла из расплава, что обеспечивает однородность структуры и отсутствие внутренних дефектов. Оборудование для кристаллов НИКА-3 разработано для точного контроля всех параметров выращивания, что делает его незаменимым в научных и промышленных лабораториях.

Преимущества оборудования для кристаллов НИКА-3

Современные методы выращивания кристаллов требуют высокоточной техники, способной поддерживать стабильные температурные условия и регулировать процесс кристаллизации. Установка НИКА-3 обладает рядом преимуществ:

  • точная термостабилизация – равномерное распределение температуры в зоне выращивания;
  • автоматизация процессов – минимизирует человеческий фактор и повышает повторяемость результатов;
  • гибкость настроек – подходит для выращивания различных материалов, включая сапфир, кремний, германий;
  • соответствие стандартам – отвечает требованиям кристаллографии и полупроводниковой отрасли.

Применение оборудования для выращивания кристаллов по методу Чохральского

НИКА-3 используется в таких областях, как:

  • производство полупроводников – выращивание кремниевых и сапфировых кристаллов;
  • оптические технологии – создание материалов для лазеров и оптических приборов;
  • электроника – изготовление подложек для микросхем и чипов;
  • научные исследования – разработка новых материалов и изучение процессов кристаллизации.

Установка НИКА-3 – это оборудование для выращивания кристаллов, которое адаптируется под разные требования заказчика. В зависимости от требований заказчика возможно внесение индивидуальных изменений в конструкцию и параметры работы оборудования. Оставьте заявку на сайте или свяжитесь с нашими специалистами по телефону +7 (496) 527 35 91 для консультации по подбору оборудования.

Система автоматического управления

Адаптивная (самонастраивающаяся) система автоматического управления диаметром кристалла обеспечивает необходимое качество управления и устойчивость на протяжении всего процесса роста. Существенным преимуществом САУ является наличие нескольких классов автоматических регуляторов, таких как самонастраивающийся PID – регулятор, инкрементальный регулятор, самонастраивающийся предиктор-корректор, который,  как показала практика, обеспечивает наилучшее качество управления размером кристалла (диаметром слитка). Мы учитываем особенности процесса заказчика и проводим автоматизацию специальных технологических приемов и процедур.

Мы учитываем особенности процесса заказчика и проводим автоматизацию специальных технологических приемов и процедур.

asu

Производство искусственного сапфира в Московской области

Компания «Ростокс-Н» специализируется на производстве синтетического сапфира и изделий из стекла, керамики и других материалов, а также продажей оборудования для выращивания монокристаллов. Даем гарантию на качество всей продукции – нам доверяют и отечественные, и зарубежные клиенты. Узнайте больше об условиях сотрудничества у менеджера по телефону +7 (496) 527-35-91+7 (496) 527 35 95+7 (496) 527 35 96 и электронной почте info@rostox-n.ru.

 

Температура плавления
до 2100О С
Диаметр тигля для расплава
до 150 мм (в зависимости от типа выращиваемого кристалла)
Масса выращиваемого кристалла
до 4 кг; 8 кг
Диапазон измерения датчика веса
до 5 кг; 10кг
Чувствительность датчика веса
не менее 0,02 г; 0,04 г
Рабочий ход верхнего штока
550 мм
Рабочая скорость перемещения верхнего штока:
от 0,1 до 120,0 мм/ч
Ускоренная скорость перемещения верхнего штока:
от 0,5 до 150,0 мм/мин
Скорость вращения верхнего штока
1-100 об/мин
Рабочий ход нижнего штока
200 мм
Тип преобразователя
транзисторный (IGBT технология)
Выходная мощность преобразователя
40 кВт; 100 кВт
Диапазон использования выходной мощности преобразователя частоты
от 1 до 100 % от используемой
Коэффициент полезного действия
не ниже 93%
Допустимое отклонение выходной мощности преобразователя частоты от установленной
± 0,05%
Давление инертного газа в камере
не более 1,5х105Па
Предельный форвакуум в ростовой камере при выключенном индукторе
не более 2,6 Па
Потребляемая мощность установки (без преобразователя частоты)
не более 3 кВт
Давление охлаждающей воды
от 200 кПа до 250 кПа

Статьи по теме

Все публикации

Новости

23.12.2020

Начато производство полированных сапфировых призм.

ЗАО Ростокс-Н приступил к серийному производству полированных сапфировых призм для медицинских применений.

23.12.2020

ЗАО "Ростокс-Н" приступило к разработке 3D принтера, позволяющего "печатать" изделия сложной формы из алюминиевых сплавов и алюмоматричных композиционных материалов аддитивным формообразованием из расплава.

Портфолио