ru

НИКА-3 для выращивания кристаллов по методу Чохральского

НИКА-3 разработана с учетом опыта эксплуатации оборудования предыдущего поколения, рекомендаций наших заказчиков, естественного прогресса технических характеристик комплектующих устройств и программного обеспечения.

Метод Чохральского: оборудование НИКА-3 для выращивания кристаллов

Метод выращивания кристаллов Чохральского широко применяется в полупроводниковой промышленности и оптоэлектронике для получения высокочистых монокристаллов. Этот процесс основан на вытягивании кристалла из расплава, что обеспечивает однородность структуры и отсутствие внутренних дефектов. Оборудование для кристаллов НИКА-3 разработано для точного контроля всех параметров выращивания, что делает его незаменимым в научных и промышленных лабораториях.

Преимущества оборудования для кристаллов НИКА-3

Современные методы выращивания кристаллов требуют высокоточной техники, способной поддерживать стабильные температурные условия и регулировать процесс кристаллизации. Установка НИКА-3 обладает рядом преимуществ:

  • точная термостабилизация – равномерное распределение температуры в зоне выращивания;
  • автоматизация процессов – минимизирует человеческий фактор и повышает повторяемость результатов;
  • гибкость настроек – подходит для выращивания различных материалов, включая сапфир, кремний, германий;
  • соответствие стандартам – отвечает требованиям кристаллографии и полупроводниковой отрасли.

Применение оборудования для выращивания кристаллов по методу Чохральского

НИКА-3 используется в таких областях, как:

  • производство полупроводников – выращивание кремниевых и сапфировых кристаллов;
  • оптические технологии – создание материалов для лазеров и оптических приборов;
  • электроника – изготовление подложек для микросхем и чипов;
  • научные исследования – разработка новых материалов и изучение процессов кристаллизации.

Установка НИКА-3 – это оборудование для выращивания кристаллов, которое адаптируется под разные требования заказчика. В зависимости от требований заказчика возможно внесение индивидуальных изменений в конструкцию и параметры работы оборудования. Оставьте заявку на сайте или свяжитесь с нашими специалистами по телефону +7 (496) 527 35 91 для консультации по подбору оборудования.

Система автоматического управления

Адаптивная (самонастраивающаяся) система автоматического управления диаметром кристалла обеспечивает необходимое качество управления и устойчивость на протяжении всего процесса роста. Существенным преимуществом САУ является наличие нескольких классов автоматических регуляторов, таких как самонастраивающийся PID – регулятор, инкрементальный регулятор, самонастраивающийся предиктор-корректор, который,  как показала практика, обеспечивает наилучшее качество управления размером кристалла (диаметром слитка). Мы учитываем особенности процесса заказчика и проводим автоматизацию специальных технологических приемов и процедур.

Мы учитываем особенности процесса заказчика и проводим автоматизацию специальных технологических приемов и процедур.

asu

Производство искусственного сапфира в Московской области

Компания «Ростокс-Н» специализируется на производстве синтетического сапфира и изделий из стекла, керамики и других материалов, а также продажей оборудования для выращивания монокристаллов. Даем гарантию на качество всей продукции – нам доверяют и отечественные, и зарубежные клиенты. Узнайте больше об условиях сотрудничества у менеджера по телефону +7 (496) 527-35-91+7 (496) 527 35 95+7 (496) 527 35 96 и электронной почте info@rostox-n.ru.

 

Температура плавления
до 2100О С
Диаметр тигля для расплава
до 150 мм (в зависимости от типа выращиваемого кристалла)
Масса выращиваемого кристалла
до 4 кг; 8 кг
Диапазон измерения датчика веса
до 5 кг; 10кг
Чувствительность датчика веса
не менее 0,02 г; 0,04 г
Рабочий ход верхнего штока
550 мм
Рабочая скорость перемещения верхнего штока:
от 0,1 до 120,0 мм/ч
Ускоренная скорость перемещения верхнего штока:
от 0,5 до 150,0 мм/мин
Скорость вращения верхнего штока
1-100 об/мин
Рабочий ход нижнего штока
200 мм
Тип преобразователя
транзисторный (IGBT технология)
Выходная мощность преобразователя
40 кВт; 100 кВт
Диапазон использования выходной мощности преобразователя частоты
от 1 до 100 % от используемой
Коэффициент полезного действия
не ниже 93%
Допустимое отклонение выходной мощности преобразователя частоты от установленной
± 0,05%
Давление инертного газа в камере
не более 1,5х105Па
Предельный форвакуум в ростовой камере при выключенном индукторе
не более 2,6 Па
Потребляемая мощность установки (без преобразователя частоты)
не более 3 кВт
Давление охлаждающей воды
от 200 кПа до 250 кПа

Статьи по теме

Все публикации

Новости

23.12.2020

Завершена отработка технологии одновременного выращивания сапфировых лент длиной 500, шириной 70, толщиной 2.2 мм.

21.02.2023

Наш стенд FD001.

Представляем изделия из лейкосапфира и образцы проектируемой и производимой вакуумной техники.

23.12.2020

Компания приняла участие в международной выставке OPTATEC 2014, 20-22 мая 2014 г., Франкфурт, Германия.

Портфолио